9月25日至27日，2024中国集成电路设计创新大会暨第四届IC应用展（ICDIA-IC Show）和第十一届汽车电子创新大会（AEIF）暨汽车电子应用展在无锡太湖国际博览中心同期举办。紫光国芯（证券代码：874451）携多款存储创新产品和应用方案精彩亮相，集中展示其在高性能计算、汽车电子等领域的领先技术实力和广泛的市场覆盖。值得一提的是，紫光国芯自主开发的高可靠车规级芯片产品LPDDR4 DRAM（第四代低功耗同步动态随机存取存储器）荣获了 “汽车电子·金芯奖——新锐产品奖”， 总经理、董事江喜平代表公司领奖， 这一荣誉充分证明了紫光国芯在汽车电子领域的创新实力。
此外，紫光国芯多款芯片产品被收录进《国产车规芯片可靠性分级目录（2024）》，进一步突显了其在推动中国汽车行业在电动化、智能化和网联化方面的贡献。
高可靠车规级LPDDR4 DRAM，展现实力
凭借深厚的技术积累和严格的质量控制，紫光国芯可提供从SDR到DDR4/LPDDR4/4x等多种接口的DRAM产品，覆盖了车规级、商业级、工业级等不同规格的存储解决方案。荣获此次奖项的LPDDR4 DRAM，以其卓越的性能和可靠性满足了智能网联化车载电子系统的高标准要求。
全新一代LPDDR4 DRAM通过全新的高速接口设计和低功耗设计，产品速率、功耗、芯片面积等指标相较于上一代产品均取得显著提升。通过完善的可靠性验证和测试方案，该产品能够满足车规Grade2的要求，工作温度-40~105℃。目前，该产品已完成研发验证和AEC-Q100认证，现已进入量产，为激光雷达、前视一体机、抬头显示、液晶仪表、车辆动态控制系统、驾驶员监测系统等汽车电子控制系统提供了理想的存储器方案选择。
高品质利基型DRAM KGD完整方案闪耀双会
展会现场，紫光国芯特别展出了其已经成功实现量产的新一代DRAM KGD系列产品：超低功耗128Mb PSRAM。该产品采用先进的制程技术，在进一步优化芯片尺寸的同时提升了主要性能指标，实现了最高800Mbps数据速度表现，达到业界速度最高，最大可实现12.8Gb/S的大带宽性能。这一性能飞跃使其在通信、穿戴、人工智能、物联网等高端领域展现出巨大的应用潜力。作为国内领先的专业DRAM KGD解决方案提供商，紫光国芯可为客户提供包括PSRAM、Low Power DRAM，standard DRAM在内的多种接口和从32Mb到8Gb的多种容量的KGD产品。围绕市场和客户的PSRAM需求，紫光国芯即将推出32Mb和64Mb容量的产品，并已规划256Mb 容量的产品，备受广大客户的期待。
工艺制程挑战与值得信赖的设计服务
在2024 ICDIA 的AI大模型赋能芯片设计论坛上，紫光国芯副总裁王成伟分享了公司在数字后端、可测性设计和模拟设计等领域在先进工艺芯片开发中的策略和经验。
他表示在市场竞争和工艺演进的背景下，IC设计企业正面临工艺制程节点持续微缩的挑战，一个能够解决工艺制程难点和适配市场需求的完整芯片设计开发体系就变得尤为重要。为此，紫光国芯采用灵活的商业模式，提供覆盖先进工艺全流程一站式的芯片定制开发和量产服务解决方案，助力客户提升产品竞争力。
目前，紫光国芯设计服务团队已服务近百家家海内外客户，交付了超数百项服务成果，这些服务成果基带通讯、网络处理、消费类、车规MCU、AR/VR、高带宽存储等多个领域。
展出期间，紫光国芯的模组及系统产品解决方案、高性能存储技术方案：三维堆叠DRAM技术和CXL内存扩展技术也一同亮相，受到了与会嘉宾的广泛关注。其中，SeDRAM®技术已演进至第三代，实现了数十TB的内存访问带宽和数十GB的存储容量，突破了传统存储方案的性能瓶颈。同时，覆盖DDR3到DDR5，包含SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、NV-IDIMM等多种类型的模组全系产品，也成为与会嘉宾关注的亮点之一。
作为新紫光集团旗下专注于存储技术的产品和服务提供商，紫光国芯在新紫光集团围绕智能科技全产业链深度布局的战略指导下，持续聚焦市场动态和客户需求，加大DRAM、SeDRAM等核心技术和存储产品的攻关，致力于为客户和行业发展不断创造价值，用科技之光照亮幸福生活。
陕ICP备14006572号 
陕公网安备 61019002001302号
返回列表
