西安紫光国芯受邀参加2023闪存峰会:用存储系统结构创新突破存储墙

发布者:网络管理员 发布时间:2023-09-01 10:28:00 浏览次数:

 
8月29日至30日,以“芯存储 AI未来”为主题的2023闪存峰会在杭州萧山举行,大会聚焦以闪存和内存芯片为核心的存储器产业生态,邀请业界人士交流最新技术、行业应用、发展趋势等热点话题,共同推动闪存技术与数字经济创新发展。西安紫光国芯副总裁左丰国受邀出席,并发表《用存储系统结构创新突破存储墙》主题演讲。
 
随着以ChatGPT为代表的AI大模型应用落地,行业对高性能算力芯片的需求不断增加,相应的高性能存储系统需求使得新的存储技术备受关注。事实上,在最先进的算力芯片系统中,存储带宽已成为需要解决的首要问题,“存储墙”问题在大算力时代变得更加凸显。为了应对这一现状,左丰国分享了几点实践与思考:“通过存储系统结构创新,从芯片级和系统级(板卡级)入手,提升带宽、降低延迟、优化能效、增加容量,以突破‘存储墙’问题。
 
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芯片级-3D嵌入式DRAM技术(SeDRAM®)
 
西安紫光国芯开发的3D异质集成嵌入式DRAM技术(SeDRAM®),能实现计算单元和大容量主存之间的纳米级连接,在存储系统性能提升方面具备极大的优势。左丰国介绍:“SeDRAM®技术在垂直方向实现逻辑晶圆和DRAM晶圆的多层堆叠,可为系统提供10TB~100TB级别的主存带宽,同时也实现了优于2.5D结构的延迟和能效。”
 
西安紫光国芯打造的嵌入式DRAM技术,提供了业界领先的超大带宽、超大容量和超低功耗的嵌入式DRAM的解决方案,可满足高性能计算、人工智能、近存计算、智能物联网等应用场景对高带宽、高容量内存的需求。在过去3年,嵌入式DRAM技术已支持近20款产品的研发与量产。
 
系统级-CXL技术
 
CXL 全称 Compute Express Link,是一种全新的互联技术标准。通过对系统带宽、容量的动态扩展,CXL技术可以解决高负载应用场景下,服务器系统面临的“存储墙”问题。目前,CXL技术得到了行业上下游厂商的广泛认同和跟进,生态和产品已进入发展成熟期。
 
左丰国表示:“西安紫光国芯作为较早关注CXL技术的公司,多年来一直紧密参与相关技术的探索与落地。2020年公司加入CXL技术联盟并成为‘Contributor’级别成员,深度参与了相关标准制定的技术讨论,实现了在CXL技术领域的布局。2022年,西安紫光国芯作为国内CXL技术的先行者推出产品路线图。”
 
进入大数据、大算力时代,西安紫光国芯作为国内领先的、具有主流大容量存储器核心设计技术的高科技企业,将持续以科技创新为驱动,推出具有核心竞争力的产品和服务。同时,在紫光集团“大研发、大制造、大市场”战略部署下,西安紫光国芯期待以更加开放的姿态携手产业链伙伴,助力产业蓬勃发展,让科技之光照亮幸福生活。