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公司SeDRAM™斩获第十六届“中国芯”年度重大创新突破产品奖

发布日期:2021/12/20   点击次数:727次   作者:管理员

2021年12月20日,在第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会上,西安紫光国芯凭借世界领先的异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM™)成功斩获含金量极高的“中国芯”年度重大创新突破产品奖。本次获奖的SeDRAM™可以突破冯·诺依曼架构的性能瓶颈,满足高性能计算、人工智能、近存计算、智能物联网等应用场景对高带宽、高容量内存的需求。



  “年度重大创新突破产品奖”颁奖仪式


  
SeDRAM™斩获年度重大创新突破产品奖

 

“中国芯”集成电路产业促进大会是国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业会议之一,是在工信部信息司指导下举办的全国性集成电路行业盛会。本次“中国芯”共分为五大奖项,其中压轴的“年度重大创新突破产品奖”主要授予本年度有重大技术创新,对我国集成电路产业发展具有重大意义的单款芯片产品,共有38家企业申报,最终包括西安紫光国芯在内的三家企业芯片从40款产品中突围。



 西安紫光国芯展位现场 

 

西安紫光国芯的SeDRAM™技术采用纳米级互连将DRAM晶圆和不同工艺晶圆在垂直方向上互联,实现嵌入式存储器的直接访问;通过定制的DRAM设计支持多种容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多种带宽;同时为不同的逻辑工艺提供标准化接口和测试IP,使SoC客户能够方便简单地集成。


 “西安紫光国芯历时七年研发的SeDRAM™技术和平台,成功地实现了DRAM晶圆和SoC晶圆的异质集成,提供了业界领先的超大带宽、超大容量和超低功耗的嵌入式DRAM的解决方案。”西安紫光国芯常务副总裁江喜平表示,“本次获此殊荣,是公司长期坚持技术创新取得的研究成果,也是业界同仁对公司创新能力、产业影响力的高度认可。未来,西安紫光国芯将继续以创新为驱动力,持续深耕DRAM和SoC设计技术,为集成电路行业带来更多有价值的创新应用,推动产业快速发展”。



依托开放式、定制化、平台式的合作模式,西安紫光国芯凭借多年的DRAM开发量产能力和SoC设计服务的能力,成功帮助有大带宽、低功耗需求的客户开发多款产品,其中几款产品已经实现了大规模量产和销售。


 同时,SeDRAM™技术和平台成功开发以来,基于该技术的多款产品和研究成果先后在IEDM 2020、CICC 2021、IMW 2021、A-SSCC 2021等多个业界顶级期刊上公开发表和作专题报告。其中一款产品的相关论文也被ISSCC 2022收录,将于明年2月公开发表。

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